磁控溅射仪发展

磁控溅射仪为一种用于物理学领域的分析仪器，于2015年05月25日启用。

磁控溅射为物理气相沉积的一种。金属、半导体、绝缘体等多材料的制备通常会采用一般的溅射法，其的特点为有着较为简单的设备，控制起来不困难，有着较大的镀膜面积以及有着较强的附着力等。在上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是使高速、低温、低损伤得以实现。由于高速溅射是在低气压下进行，必须要使气体的离化率得到有效地提高。磁控溅射利用将磁场往靶阴极表面引入，通过磁场约束带电粒子来使得等离子体密度提高进而使得溅射率增加。

磁控溅射仪发展

采用磁控靶源能够较为容易地对金属和合金进行溅射，能够相当方便地进行点火和溅射。此是由于靶（阴极），等离子体和被溅零件/真空腔体能够使得回路形成。然而如果对绝缘体进行溅射，那么就会断掉回路，于是高频电源为人们所采用。将很强的电容加入到回路中，如此靶材在绝缘回路中变成了一个电容。然而高频磁控溅射有着较为昂贵的电源，有着非常小的溅射速率，与此同时有着非常复杂的接地技术，所以大规模采用非常的困难。为了对该问题加以解决，磁控反应溅射被发明出来。其即是使用金属靶，将氩气和如氮气或氧气等反应气体加入。当金属靶材往零件上撞时，因为能量转化，和反应气体化合，使得氮化物或氧化物生成。