离子刻蚀与沉积系统

美Nano-master RIE反应离子刻蚀系统 NRR-4000 独立式双RIE或ICP刻蚀系统 NRE-4000 独立式RIE或ICP系统 NRE-3000 台式RIE系统 ...

IBM离子铣/IBE离子束刻蚀系统： NIE-4000 独立式 IBE 刻蚀系统 NIE-3500 紧凑型独立式 IBE 刻蚀系统 NIR-4000 独立式 IBE / RIE 双...

IBM离子铣/IBE离子束刻蚀系统： NIE-4000 独立式 IBE 刻蚀系统 NIE-3500 紧凑型独立式 IBE 刻蚀系统 NIR-4000 独立式 IBE / RIE 双...

磁控溅射系统： NSC-4000独立式磁控溅射系统，可支持共溅射等能力的扩展 NSC-3500紧凑型独立式热蒸镀，可以支持金属材料的DC溅射，介质材料的RF溅射，以及脉冲DC溅射等应用。...

NIE-4000 离子束刻蚀系统，NIR-4000 IBE/RIE 双刻蚀系统，通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。

NE-550Z是高真空load-lock式干法等离子刻蚀装置，适用于半导体材料、金属材料等的精细刻蚀

NIE-4000 离子束刻蚀系统，NIR-4000 IBE/RIE 双刻蚀系统，通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。

我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。...

PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展...

离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。

· 小尺寸系统——易于安置 · 优化了的电极冷却——衬底温度控制 · 高导通的径向（轴对称）抽气结构—— 确保提升了工艺均匀性和速率 · 增加了<500毫秒的数据记录功能——可追溯腔室和工...

紧凑型开放式样品载入原子层沉积（ALD）系统 OpAL提供了专业的热ALD设备，可以简单明了的升级使用等离子体，使得在同一紧凑设备中集成了等离子体和热ALD。

PlasmaPro 80 ICP是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统，可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺质量。直开式设计允许快速的进行晶圆装卸，是科学研究、原型设计和...

该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。 具有工艺灵活性，适用于化合物半导体，光电子学，光子学...

PlasmaPro 80 RIE是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生...

PlasmaPro 80 ICPCVD是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是科学研究、...