产品介绍:
MJb4型号紫外光刻机是德国SUSS公司生产的手动型光刻机,在全球相关科研领域的实验室有广泛的应用。该设备配备可靠的在亚微米级高度精密的对准以及高分辨光刻系统。具备顶部对准系统和衍射减小光学系统。
Perfect Low-Cost Solution:
• High Accuracy
• Good Optical performance
• latest processes (e.g. UV-NIL)
Addressed Markets:
• MEMS
• Telecommunications
• Compound Semiconductors
• Nano Imprint Lithography
Manual Tool: Easy To Operate
Technical Data
• Wafer size: 1′′ up to 100 mm / 4′′ (round)
• Min. pieces: 5 x 5 mm
• Wafer thickness: up to 4 mm
• Mask size: standard 2′′ x 2′′ up to 5′′ x 5′′ (SEMI)
• Mask thickness: up to 4.8 mm / 190 mil
Exposure Modes
• Contact: soft, hard, vacuum, soft vacuum
• Proximity up to 50μm gap
Optics
• UV250, UV300, UV400 and broadband optics
• Intensity Uniformity ± 3% on 100mm
• Constant power or constant intensity
• Lamp sizes: 200W, 350W, 500W (for UV250)
• Resolution down to 0,5 μm L/S (vacuum contact, UV250)
Alignment
• TSA alignment accuracy: 0.5μm (with SUSS recommended wafer targets)
• Transmitted IR Alignment accuracy: < 5μm (<2μm under special process conditions)
• Alignment gap:10–50μm
Single or splitfield microscope with/w/o CCD camera
报价:面议
已咨询6148次光刻机
报价:面议
已咨询5984次半导体参数分析仪
报价:面议
已咨询4578次半导体参数分析仪
报价:面议
已咨询1110次光刻机
报价:面议
已咨询4114次德SUSS光刻机用曝光灯
报价:面议
已咨询446次德SUSS光刻机用曝光灯
报价:面议
已咨询10865次
报价:面议
已咨询242次科时达
步进式光刻 更高的精度 激光主动对焦 6 英寸加工幅面 特征尺寸0.4 μm
本设备是我公司专门针对各大、专院校及科研单位研发使用的一种精密光刻机,主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件的研制和生产。
采用AOD激光操控技术,光斑定位精度优于1nm,高精度套刻对准,结构边缘超平滑,可轻松构建1微米以下线宽结构。 先进的AOD激光操控技术,使得DaLI具有超高的激光定位精度(优于1nm),超长的有效寿命,以及极高的稳定性。DaLI主要适用于广泛应用于MEMS、材料科学、微流控、微光学器件及其它微纳加工领域。
主要优势 ► 小巧桌上型系统 ► 掩膜板制作及激光直写 ► 375nm 或405nm 激光源 ► 兼容所有光刻胶 ► 高深宽比: 1 x 20
创新采用三柔性支点实现高精度自动调平;真空接触自动曝光;样片升降、调平、接触、曝光、复位实现自动化控制;采用积木错位蝇眼透镜实现高均匀照明;可连续设定分离间隙;采用双目双视场显微镜实现高对准精度。整机具有性能可靠、操作方便、自动化程度高等特点。