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中芯热成精密光刻机

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详细介绍

   主要技术指标:

1、曝光类型:单面;配置4"LED用曝光头

2、曝光面积:110×110mm;

3、曝光照度不均匀性:≤±5%;

4、曝光强度:0~30mw/cm2可调;

6、紫外光中心波长:365nm;

7、紫外光源时间:≥2万小时;

8、曝光分辨率:2μm

9、显微镜扫描范围:X: ±100mm   Y:±100mm;

10、对准范围:X、Y 调节 ±4mm;Q向调节±3°;

11、套刻精度:2μm;

12、曝光方式:接触式曝光

13、掩模版尺寸:≤127×127mm;

14、基片尺寸:≤Φ102mm(或者102×102mm);

15、曝光定时:0~999.9秒可调;


产品优势
本设备是我公司专门针对各大、专院校及科研单位研发使用的一种精密光刻机,主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件的研制和生产。
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