Product | Period | Line | Area | Etch depth (Si/quartz) |
Pillars on Hexagonal Lattice | ||||
NAP230/220/340-30*30 | 340nm | 230nm | 30mm | 200nm（Ni） |
P450h_p_50d | 450nm | 50mm dia. | 350nm / 150nm | |
MLP230/500/460-120 | 460nm | 230nm | 120mm dia | 500nm（Si） |
NAP230/100/460-30*30 | 460nm | 230nm | 30mm | 100nm（Ni） |
MLP230/200/460-120 | 460nm | 230nm | 120mm dia | 200nm（Si） |
NAP250/500/500-30*30 | 500nm | 250nm | 30mm | 500nm（Ni） |
NAP270/200/530-30*30 | 530nm | 270nm | 30mm | 200nm（Ni） |
P600h_p_46w46 | 600nm | 46x46mm2 | 450nm / 200nm | |
P600h_p_100d | 600nm | 100mm dia. | 450nm / 200nm | |
S2D-24C2-0808-150-P | 600nm | 165nm | 8×8.3mm | 150nm |
S2D-24C2-0808-350-P | 600nm | 165nm | 8×8.3mm | 350nm |
S2D-18C2-0808-150-P | 600nm | 240nm | 8×8.3mm | 150nm |
S2D-18C2-0808-350-P | 600nm | 240nm | 8×8.3mm | 350nm |
NAP300/300/600-20*20 | 600nm | 300nm | 20mm | 300nm（Ni） |
NAP400/200/600-30*30 | 600nm | 400nm | 30mm | 200nm（Ni） |
NAP310/200/620-30*30 | 620nm | 310nm | 30mm | 200nm（Ni） |
NAP230/200/690-30*30 | 690nm | 230nm | 30mm | 200nm（Ni） |
S2D-18C3-0808-150-P | 700nm | 350nm | 8×8.3mm | 150nm/- |
S2D-18C3-0808-350-P | 700nm | 350nm | 8×8.3mm | 350nm/- |
S2D-24C3-0808-150-P | 700nm | 260nm | 8×8.3mm | 150nm/- |
S2D-24C3-0808-350-P | 700nm | 260nm | 8×8.3mm | 350nm/- |
P750h_p_51w51 | 750nm | 51x51mm2 | 450nm / 200nm | |
P780h_p_20w20 | 780nm | 20x20mm2 | 450nm / 200nm | |
P780h_p_50d | 780nm | 50mm dia. | 450nm / 200nm | |
NAP600/400/800-30*30 | 800nm | 600nm | 30mm | 400nm（Ni） |
P870h_p_100d | 870nm | 100mm dia. | 550nm / 250nm | |
P1000h_p_20w20 | 1000nm | 20x20mm2 | 600nm / 300nm | |
P1000h_p_51w51 | 1000nm | 51x51mm2 | 600nm / 300nm | |
P1000h_p_100d | 1000nm | 100mm dia. | 600nm / 300nm | |
P1500h_p_20w20 | 1500nm | 20x20mm2 | 600nm / 300nm | |
P1500h_p_51w51 | 1500nm | 51x51mm2 | 600nm / 300nm | |
P1700h_p_100d | 1700nm | 100mm dia. | 800nm / 400nm | |
P2000h_p_100d | 2000nm | 100mm dia. | 800nm / 400nm | |
P3000h_p_100d | 3000nm | 100mm dia. | 1000nm / 400nm | |
P3500h_p_100d | 3500nm | 100mm dia. | 1200nm / 500nm | |
P5200h_p_100d | 5200nm | 100mm dia. | 1200nm / 500nm | |
Pillars on Square Lattice | ||||
P300s_p_30w30 | 300nm | 30x30mm2 | 200nm / 100nm | |
P300s_p_100d | 300nm | 100mm dia. | 200nm / 100nm | |
P400s_p_30w30 | 400nm | 30x30mm2 | 300nm / 100nm | |
P400s_p_100d | 400nm | 100mm dia. | 300nm / 100nm | |
NAP100/100/400-30*30 | 400nm | 100nm | 30mm | 100nm（Ni） |
NAP230/200/460-30*30 | 400nm | 100nm | 30mm | 200nm（Ni） |
P500s_p_30w30 | 500nm | 30x30mm2 | 400nm / 150nm | |
P500s_p_100d | 500nm | 100mm dia. | 400nm / 150nm | |
P560s_p_80d | 560nm | 80mm dia. | 400nm / 150nm | |
P600s_p_100d | 600nm | 100mm dia. | 500nm / 250nm | |
NAP400/200/600-30*30 | 600nm | 400nm | 30mm | 200nm（Ni） |
NAP400/400/600-30*30 | 600nm | 400nm | 30mm | 400nm（Ni） |
NAP230/200/690-30*30 | 690nm | 230nm | 30mm | 200nm（Ni） |
S2D-18B3-0808-150-P | 700nm | 350nm | 8×8.3mm | 150nm/- |
S2D-18B3-0808-350-P | 700nm | 350nm | 8×8.3mm | 350nm/- |
S2D-24B3-0808-150-P | 700nm | 260nm | 8×8.3mm | 150nm/- |
S2D-24B3-0808-350-P | 700nm | 260nm | 8×8.3mm | 350nm/- |
P800s_p_100d | 800nm | 100mm dia. | 500nm / 200nm | |
NAP300/600/800-20*20 | 800nm | 300nm | 20mm | 600nm（Ni） |
NAP600/400/800-30*30 | 800nm | 600nm | 30mm | 400nm（Ni） |
NAP250/250/1000-20*20 | 1000nm | 250nm | 20mm | 250nm（Ni） |
NAP500/250/1000-20*20 | 1000nm | 500nm | 20mm | 250nm（Ni） |
其他规格，详询，可定制
报价：面议
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已咨询208次探针台耗材
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已咨询204次探针台耗材
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已咨询206次探针台耗材
报价：面议
已咨询208次探针台耗材
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已咨询247次SEM/TEM/FIB/X-ray耗材
报价：面议
已咨询182次SEM/TEM/FIB/X-ray耗材
报价：面议
已咨询220次模板库
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报价：面议
已咨询671次环境样品采集
报价：面议
已咨询131次土壤检测仪器
报价：面议
已咨询102次水质检测仪器
报价：面议
已咨询1120次环境样品采集
报价：面议
已咨询170次扣式、软包、圆柱、锂空等
报价：面议
已咨询97次土壤检测仪器
将传统玻片数字化，进行存储与管理，可建立数字切片库，便于培训、分析、管理等，脱离时间、空间限制。
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电子束曝光一种高分辨率的微细加工技术，广泛应用于纳米科技和半导体制造领域。其基本原理是利用聚焦的电子束在光刻胶上进行直接写入，通过改变光刻胶的化学性质来形成微纳米结构图案。上海纳腾仪器有限公司自主研发的电子束曝光机（Pharos系列产品）， 具有高分辨率、 精准控制和高度自动化的优势， 被广泛应用于制备半导体芯片、 光子学元件和其他微纳米结构等领域， 是进行亚微米至纳米级曝光技术研发的理想工具。
1. SE series可执行Thermal-ALD，PEALD，与ALA等先进制程。 2. SE series具有高度的改造弹性，但其性能与稳定性并不因此而牺牲。 3. 原子层沉积系统设计具有便捷、稳定、再现性高的产品定位。
WinSPM EDU 系统荣获“全国教学仪器设备评比较好奖”,该奖项由国家教育装备委员会颁发，表彰其在纳米教育实验系统方面的创新设计、稳定性能和在全国高校广泛应用中的突出表现。
日本东宇 是业界知名的氮气发生器厂家,拥有30年丰富的销售经验及专业的售后支持团队。 日本京都的研发生产中心, 与合作实验室持续开发新机型。 在日本、 中国等多国取得多项技术专利。工厂通过ISO9001认证。
较为低的曲率半径：每根针经过质检； 较小探针差异：较为特加工工艺实现精准控制
营业执照已审核
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沪公网安备 31011502008050号