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芬兰 PICOSUN R-200标准型ALD

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详细介绍

PICOSUN™ R-200标准型ALD 

技术参数 

。衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片 
。156 mm x 156 mm太阳能硅片 
。3D 复杂表面衬底 
。粉末与颗粒 
。多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品 
。工艺温度 :50 - 500 °C , 可选更高温度 
。基片传送选件 :气动升降(手动装载) ,预真空室安装磁力操作机械手(Load lock ) 
。前驱体 液态、固态、气态、臭氧源 ,4根独立源管线,最多加载6个前驱体源 
。重量 :350 kg 
。尺寸: (W x H x D) 取决于选件 
-最小146 cm x 146 cm x 84 cm 
-最大189 cm x 206 cm x 111 cm 
。选件 :PICOFLOW™扩散增强器,集成椭偏仪,QCM, RGA,N2 发生器,尾气处理器,定制设 计,手套箱集成(用于惰性气体下装载) 
。验收标准 :标准设备验收标准为 Al2O3工艺

   

PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现极 佳的均匀性,包括zui具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。 
我们为液体、气体和固体化学物提供的更高 级的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度最小的薄膜层。 在最基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个独立的,完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。
    
  


产品优势
PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现极 佳的均匀性,包括zui具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。
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