芬兰 PICOSUN R-200标准型ALD

PICOSUN™ R-200标准型ALD 

技术参数 

。衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片 
。156 mm x 156 mm太阳能硅片 
。3D 复杂表面衬底 
。粉末与颗粒 
。多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品 
。工艺温度 ：50 - 500 °C , 可选更高温度 
。基片传送选件 ：气动升降（手动装载） ，预真空室安装磁力操作机械手（Load lock ） 
。前驱体 液态、固态、气态、臭氧源 ，4根独立源管线，最多加载6个前驱体源 
。重量 ：350 kg 
。尺寸： (W x H x D) 取决于选件 
-最小146 cm x 146 cm x 84 cm 
-最大189 cm x 206 cm x 111 cm 
。选件 ：PICOFLOW™扩散增强器，集成椭偏仪，QCM， RGA，N2 发生器，尾气处理器，定制设 计，手套箱集成（用于惰性气体下装载） 
。验收标准 ：标准设备验收标准为 Al2O3工艺

   

我们为液体、气体和固体化学物提供的更高 级的，易更换的前驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度最小的薄膜层。 在最基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个独立的，完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。