上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 10
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美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40
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KRI 射频离子源 RFICP 220
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.
KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
型号 | RFICP 220 |
Discharge 阳极 | RF 射频 |
离子束流 | >800 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 20 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 30 cm |
直径 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
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伯东公司日本原装设计制造离子蚀刻机 IBE. 提供微米级刻蚀, 均匀性: ≤±5%, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
伯东公司日本原装进口小型离子蚀刻机, 适用于科研院所, 实验室研究, 干式制程的微细加工装置, 特别适用于磁性材料, 金, 铂及各种合金的铣削加工.
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上海伯东日本原装进口适合小规模量产使用和实验室研究的离子蚀刻机, 一般通氩气 Ar, 内部使用美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40 产生轰击离子; 终点检出器采用 Pfeiffer 残余质谱监测当前气体成分, 判断刻蚀情况.
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