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半自动光刻机
品牌:韩国MIDAS
型号:MDA-400M, MDA-60MS
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英国SPTS 蒸发HF刻蚀 SPTS UEtch
品牌:英国SPTS
型号:SPTS UEtch
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Nikon NSR-I12
品牌:尼康
型号: NSR-I12
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NIKON步进式投影光刻机
品牌:尼康
型号:步进式投影光刻机
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SMEE 500系列光刻机 —— IC后道先进封装
品牌:上海品测
型号:SMEE 500
- 产品品牌
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Nikon G-line步进光刻机: NSR-1755G7
- 品牌:尼康
- 型号: NSR-1755G7
- 产地:日本
适用于分辨率不低于0.65μm的大规模集成电路工艺器件量产的G-line步进式光刻机。
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德国海德堡Heidelberg DWL 8000 高级大型2D,3D直写设备
- 品牌:德国海德堡
- 型号: DWL 8000
- 产地:德国
搭配海德堡的精密软件控制可以让您在大面积范围中,也可以瞄写2维和3维图形的DWL 8000系列,是针对微光学领域的2维和3维的微构造形式所制作。 对于激光图形生成器,MEMS,Displays 和sensors 都有加宽,加高的设计。DWL 8000精确的温度控制,动态的焦点追踪,closed loop位置决定,确保wan美布置和完全覆盖性的直写范围。 DWL 8000多年的经验累积,使Gray Scale曝光技术,可以更有效率于更小的系统上直写更大的区域范围。在使用高分辨率技术掩模板上,使用曝光强度经过调整的激光,可在连续表面上形成1个复杂的3维样式。
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德国海德堡 激光直写光刻机DWL 66+
- 品牌:德国海德堡
- 型号: DWL 66+
- 产地:德国
DWL 66+激光光刻系统是具经济效益的高分辨率图像产生器, 具有多种直写模块,实现不同精度直写需求, 能于结构上进行灰度曝光
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Nikon 尼康 光刻机 NSR-4425i
- 品牌:尼康
- 型号: NSR-4425i
- 产地:日本
Nikon 尼康 光刻机 NSR-4425i
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NIKON步进式投影光刻机
- 品牌:尼康
- 型号: 步进式投影光刻机
- 产地:日本
NIKON步进式投影光刻机,分辨率:0.35μm, 套刻精度:< 75nm, 十字线对准:5:1 , 150毫米* 150毫米
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Nikon 6英寸分步重复光刻机NSR 1755i7B
- 品牌:尼康
- 型号: NSR 1755i7B
- 产地:日本
Nikon NSR 1755i7B 6英寸分步重复光刻机,可用于125mm×125mm掩模和φ100mm及150mm的晶圆高精度投影曝光,曝光精度可达500nm。
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Nikon NSR-I12
- 品牌:尼康
- 型号: NSR-I12
- 产地:日本
Nikon NSR-I12广泛应用于生产线,是6英寸,8英寸等主力I线生产机台,适用于I线光刻胶的曝光,操作简单,曝光精度准,解析力最高可达0.35UM (350NM)
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Nikon光刻机
- 品牌:尼康
- 型号: NSR-i12,NSR-1755G7,NSR-1755i7B
- 产地:日本
Nikon步进式光刻机,广泛应用于生产线,操作简单,曝光精度准,解析力最高可达0.35UM (350NM)
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德国海德堡 激光直写光刻机DWL 66+
- 品牌:德国海德堡
- 型号: DWL 66+
- 产地:德国
DWL 66+激光光刻系统是具经济效益的高分辨率图像产生器, 具有多种直写模块,实现不同精度直写需求, 能于结构上进行灰度曝光
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OAI 紫外光刻机 Model 200 型
- 品牌:美国OAI
- 型号: Model 200
- 产地:美国
美国 OAI 光刻机 Model 200 型桌面掩模对准器系统,完全手工操作,输出光谱范围:Hg: G(436海里),H(405海里),I(365nm)和310nm线,Hg-Xe: 260nm和220nm或LED: 365nm, 395nm, 405nm
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OAI Model 212 型紫外光刻机
- 品牌:美国OAI
- 型号: OAI Model 212
- 产地:美国
OAI Model 212型桌面掩模对准系统, 输出光谱范围:Hg: G(436nm),H(405nm),I(365nm)和310nm,Hg-Xe: 260 nm和220 nm或LED:365 nm、395 nm和405 nm
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OAI Model 800E 紫外光刻机
- 品牌:美国OAI
- 型号: OAI Model 800E
- 产地:美国
OAI Model 800E 型掩模对准系统,各种光谱范围选项:Hg灯:G(436nm),H(405nm), I(365nm)和310nm线,Hg-Xe灯:260nm和220nm
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OAI 掩膜光刻机 Model 6000型
- 品牌:美国OAI
- 型号: Model 6000
- 产地:美国
OAI 掩膜光刻机 Model 6000型,高吞吐量180 wph,灵活处理基板从2“平方到12”平方
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OAI的面板级掩模光刻机 Model 6020S
- 品牌:美国OAI
- 型号: Model 6020S
- 产地:美国
OAI的面板级掩模光刻机 Model 6020S, 用于FOPLP型号6020S -半自动化或自动化,实现500mm x 500mm晶圆尺寸的FO-PLP加工.
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URE-2000S/35L(B)型双面光刻机
- 品牌:光电所
- 型号: URE-2000S/35L(B)
- 产地:成都
URE-2000S/35L(B)型双面光刻机, 曝光面积:4 英寸, 正面对准采用双目双视场对准显微镜:既可通过目镜目视对准,也可通过 CCD+显示器对准,光学合像,光学最 大倍数 400 倍,光学+电子放大 800 倍
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URE-2000S/35L(A)型紫外双面光刻机
- 品牌:光电所
- 型号: URE-2000S/35L(A)
- 产地:成都
URE-2000S/35L(A)型紫外双面光刻机,曝光面积:6 英寸,正面对准采用双目双视场对准显微镜:既可通过目镜目视对准,也可通过 CCD+显示器对准,光学合像,光学ZD倍数 400 倍,光学+电子放大 800 倍
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URE-2000S/A 型紫外双面光刻机
- 品牌:光电所
- 型号: URE-2000S/A
- 产地:成都
URE-2000S/A 型紫外双面光刻机,曝光面积:6 英寸,对准精度:± 2μm (双面,片厚 0.8mm),± 0.8μm (单面)
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URE-2000S/A8 型紫外双面光刻机
- 品牌:光电所
- 型号: URE-2000S/A8
- 产地:成都
URE-2000S/A8 型紫外双面光刻机, 曝光面积:8 英寸, 曝光波长:365nm: 15mW/cm,405nm:15-30mW/cm2, 对准精度:±2 μm (双面,片厚 0.8mm)±0.8 μm (单面)
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URE-2000/25 型紫外单面光刻机
- 品牌:光电所
- 型号: URE-2000/25
- 产地:成都
URE-2000/25 型紫外单面光刻机,曝光面积:4 英寸,分辨力:1 μm(胶厚 2 μm的正胶),对准精度:± 0.8μm
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URE-2000/17 型紫外单面光刻机(台式)
- 品牌:光电所
- 型号: URE-2000/17
- 产地:成都
URE-2000/17 型紫外单面光刻机(台式),曝光面积:4 英寸,分辨力:1.5μm(胶厚 2 m 的正胶),对准精度:±1μm
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中科院DS-2000/14G 型无掩模单面光刻机
- 品牌:光电所
- 型号: DS-2000/14G
- 产地:成都
DS-2000/14G 型无掩模单面光刻机,采用 DMD 作为数字掩模,像素数 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三种选配,采用缩小投影光刻物镜成像,分辨力 1um。
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OAI UV光源
- 品牌:美国OAI
- 型号: OAI
- 产地:美国
紫外光源OAI UV光源是大面积准直光源。 该器件的输出功率高达10KW。 利用准直镜,UV光源重型是一种高效的紫外光源,适用于各种大规模应用。UV Light Source GrandeThe OAI UV Light Source Grande is a large area collimatedlight source. The device is available with output power up to 10KW. Utilizingcollimating mirrors, the UV
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OAI 2012SM 自动化边缘曝光系统
- 品牌:美国OAI
- 型号: OAI 2012SM
- 产地:美国
2012SM型自动边缘曝光系统为使用标准阴影掩模技术的边缘珠去除提供了一种经济高效的方法。 设计用于容纳8“到300mm的晶片,该工具具有自动FOUP装载。 掩模和基材切换可以快速且容易地实现,从而增加该生产工具的通用性和高产量。Automated Edge-Bead Exposure SystemModel 2012SMThe Model 2012SM Automated Edge-bead Exposure Systemprovides a cost-effective method for edge
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OAI 2000SM边缘曝光系统OAI 2000AF曝光系统
- 品牌:美国OAI
- 型号: OAI 2000SM/OAI 2000AF
- 产地:美国
OAI 2000型曝光系统可以配置为边缘曝光系统(2000SM)或曝光系统(2000AF);这两种配置都基于OAI经过验证的,经过时间测试的平台。两种型号的2000型曝光系统包括UV光源,强度控制电源和机器人衬底处理子系统。 UV光源提供发散半角<2.0%的可调强度光束。电源从200W到2,000W。强度控制器传感器直接连接到光源,用于精确的强度监控。机器人衬底处理系统是微处理器控制的,并且可以被编程以适应各种各样的衬底尺寸。阴影掩模能力使得用户能够在保持非常接近掩模的同时对衬底的顶部进行图案化。在
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OAI 800FSA 光刻机
- 品牌:美国OAI
- 型号: OAI 800FSA
- 产地:美国
800FSA型掩模对准器可以配置多种OAI光源,功率高达2KW。
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OAI 5000E 光刻机
- 品牌:美国OAI
- 型号: OAI 5000E
- 产地:美国
OAI 5000E型大面积掩光刻机是一种先进的高性能,全自动掩模对准器和曝光工具,可为大型平板应用提供超精密,ding级,亚微米对准和分辨率。 其灵活的设计允许在各种基材(圆形或方形)上印刷高达300mm或20“×20”。 曝光系统兼容近,中,或深紫外范围的光刻胶,并具有计算机控制的LED显微镜照明,在不太理想的观察环境中观察。
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OAI 6000 FSA 全自动上侧后侧光刻机
- 品牌:美国OAI
- 型号: OAI 6000 FSA
- 产地:美国
•全自动 •侧面对齐 •可选:底部对齐 UV到NUV •集群工具集成 •自定义软件
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OAI 800型光学正面和背面光刻机系统
- 品牌:美国OAI
- 型号: OAI 800
- 产地:美国
800型光学正面和背面光刻机系统OAI模型800光刻机是半自动,four-camera、光学正面和背面光刻机。它提供极其精确的(1碌m - 2 m碌)对准精度,旨在大大超过任何红外背后对准器性能的一个非常有竞争力的价格。通用模型800光刻机是理想的用于低产量、研发实验室和大学。模型800光刻机配置了各种各样的的OAI紫外线光源,在权力范围2千瓦。光刻机工具可以容纳基质8英寸广场,以及晶片卡盘定位允许方便装卸。这个划算的光刻机还包括机动背后焦点,电动汽车水准和汽车差距设置。建立在隔振平台,固定器总成担保的固
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德国Heidelberg μPG 101 激光掩膜绘图机
- 品牌:德国海德堡
- 型号: μPG 101
- 产地:德国
写入速度高达90毫米²/分钟 基板6 x 6” 降至0.6µm结构 标准或紫外光源
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昊量/auniontech DMD无掩膜光刻机超高分辨率 时间相关单光子计数模块(TCSPC)
- 品牌:上海昊量
- 型号: (TCSPC)
- 产地:徐汇区
产品介绍:上海昊量光电推出全球分辨率很高的时间相关单光子计数TCSPC模块。此模块时间相关单光子计数分辨率<10 ps。上海昊量光电推出全球分辨率很高的时间相关单光子计数TCSPC模块。时间相关单光子计数分辨率<10 ps,zui大16个计数通道,事件计数率达100MHz.关键特性:l <25 ps/<10 ps时间分辨率(FWHM/RMS)l 4个Stop通道,1个Start通道l 事件计数率zui大100MHzl
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EVG40 NT光刻系统
- 品牌:奥地利EVG
- 型号: EVG40 NT
- 产地:奥地利
EVG40 NT(独立工具)和AVM (HVM集成模块)能够测量光刻相关参数,如临界尺寸,以及焊接对正精度。由于系统的高测量精度,可以验证是否符合严格的过程规范,并立即优化集成的过程参数。凭借其多样化的测量方法,EVG40 NT可同时适用于大量制造过程,如纳米压印光刻或晶圆到晶圆键合。作为一个应用示例,EVG40 NT完善了EVG用于高精度对准晶圆焊接的产品系列,作为可靠验证EVG GEMINI FB自动熔融焊接系统100纳米焊接重叠精度的记录工具。特征用于光刻和键合计量的通用测量选项用于粘合和光刻应
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美国恩科优N&Q系列光刻机4008
- 品牌:美国恩科优
- 型号: N&Q4008
- 产地:美国
品牌:恩科优(N&Q)型号:NXQ400-8产地:美国恩科优光刻机分为半自动和全自动两大系列。其中,N&Q4000系列光刻机是以半自动系统为主。该系统优越的操作性,超高的分辨率,均匀的光学系统,现代先进的接近式和接触式光刻及超高的性价比,使恩科优光刻系统已经被全国各地众多著名企业、研发中心、研究所和高校采用,并成为他们光刻系统的。
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荷兰4PICO 激光直写光刻机 PicoMaster200
- 品牌:荷兰4PICO
- 型号: 4PICOPicoMaster200
- 产地:荷兰
PicoMaster 200无掩模激光直写光刻机●250纳米分辨率(375纳米激光源)●300纳米分辨率(405纳米激光源)●4095灰阶●业界ZJ实力的成套全息设计软件●ZD230x230毫米基板尺寸 PicoMaster 200 是一款具有超高精度组件的多功能紫外激光写入器,专为用户提供在感光层中创建ZG自由度的微结构而设计。
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无掩模光刻机,激光直写系统
- 品牌:韩国MIDAS
- 型号: 无
- 产地:韩国
光刻工艺是半导体工艺最关键的步骤之一,用于图形定义,直接决定半导体整线 工艺的水平。
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瑞士idonus紫外光刻曝光机
- 品牌:瑞士idonus
- 型号: UV-EXP
- 产地:瑞士
瑞士idonus提出了一种创新的紫外线照明系统,该系统基于大功率LED和高级微透镜阵列的使用。该产品可用于光致抗蚀剂曝光,适用于多种基材。我们完整的UV照明产品线可满足300 mm宽的掩模和晶圆的光刻需求。可以设计定制的解决方案来满足您的特定要求(例如,对掩模对准器进行改造,为将来的产品提供OEM)。LED的好处直到最近,水银弧光灯能够提供适合UV光刻曝光的高强度光的光源。由于LED技术的进步,UV-LED已成为耗能汞灯的极具吸引力的替代品。除了生态和安全方面,与传统的汞灯相比,UV-LED的技术优势
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三轴混合式激光刻印机
- 品牌:日本基恩士
- 型号: MD-X
- 产地:日本
激光刻印机用镜头聚集光线,进行刻印。因此,如果焦点偏移,可能导致刻印不良。 MD-X 系列在刻印头内部配备测距传感器。通过测量与补偿焦点到待刻印区域的长度,可始终进行没有焦点偏移的刻印。
- 激光刻蚀机
- 仪器网导购专场为您提供激光刻蚀机功能原理、规格型号、性能参数、产品价格、详细产品图片以及厂商联系方式等实用信息,您可以通过设置不同查询条件,选择满足您实际需求的产品,同时导购专场还为您提供精品优选激光刻蚀机的相关技术资料、解决方案、招标采购等综合信息。