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那诺—马斯特中国有限公司
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那诺—马斯特中国有限公司
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- 品牌：美国那诺-马斯特
- 型号：NPE-3000
- 产地：美洲 美国
NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，具有分形气流分布优势.样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加...
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- 品牌：美国那诺-马斯特
- 型号：NPE-3500
- 产地：美洲 美国
NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜z大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势...
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- 品牌：美国那诺-马斯特
- 型号：NPE-4000（ICPM）
- 产地：美洲 美国
NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l...
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- 品牌：美国那诺-马斯特
- 型号：NPE-4000（ICPA）
- 产地：美洲 美国
NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可达6" 基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/se...
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- 品牌：美国那诺-马斯特
- 型号：PECVD
- 产地：美洲 美国
NM的微波PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用25...
沪公网安备 31011502008050号