Etching刻蚀系统

RIE刻蚀机概述：RIE系统，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口：一个带有2"的视窗,另一个空置用...

全自动上下载片，带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8“ ICP源。系统配套500L/S抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下，系统可以达到硅片的高深宽...

如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过...

NIM-4000（A）全自动离子铣刻蚀：利用离子束轰击固体表面的溅射作用，剥离加工各种几何图形，通过大面积离子源产生的离子束，可对固体材料溅射刻蚀，对固体器件进行微细加工。

NIM-4000（M）离子铣刻蚀系统：利用离子束轰击固体表面的溅射作用，剥离加工各种几何图形，通过大面积离子源产生的离子束，可对固体材料溅射刻蚀，对固体器件进行微细加工。

NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层...

NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀：是一款手动放片/取片，但工艺过程为全自动计算机控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。

NIE-3500（R）RIBE反应离子束刻蚀：可以用于光栅刻蚀，SiO2二氧化硅、Si 硅以及金属等的深槽刻蚀。此外，还可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。系统可以兼容反应气体以及非反应气体，比如Ar...

NIE-4000IBE离子束刻蚀系统：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期...

NRE-4000（ICPM）ICP刻蚀机：是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，...

NDR-4000（M）DRIE深反应离子刻蚀：是带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8“ ICP源。系统配套500L/S抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的...

NRE-4000（M）反应离子刻蚀：独立式RIE系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子以及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断...

NRE-3000 反应离子刻蚀机：PC控制的RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个...

NRE-3500（M）反应离子刻蚀机：PC控制的反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空...

NRE-3500（A）全自动反应离子刻蚀机：自动上下栽片，PC控制的RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜，13“顶盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.2“观察.该系统可以支...

PC控制的RIE刻蚀PE刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持Z大到...