Growth生长系统

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ALD原子层沉积可以满足准确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统...

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ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统...

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NLD-3000原子层沉积系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有...

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NLD-4000（M）原子层沉积系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉...

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NLD-4000（ICPA）全自动PEALD系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在A...

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NLD-4000（A）全自动原子层沉积系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原...

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针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统（PA-MOCVD）,该系统具有5个鼓泡装置（各带独立的冷却槽）、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分...

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Growth生长系统解决方案

ALD原子层沉积技术应用
ALD设备：ALD原子层沉积可以满足膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会...

Growth生长系统技术资料

ALD 原子层沉积
ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统...

Growth生长系统产品文章

ALD技术在GaN功率器件上的优势
氮化镓（GaN）是由氮和镓组成的一种半导体材料，因为其禁带宽度大于2.2eV，又被称为宽禁带半导体材料。宽禁带半导体材料有着更高得多的临界雪崩击穿场强，较高的热导率。基于宽禁带半导体材料的电力电子器...
MOCVD金属有机化合物化学气相沉积
MOCVD金属有机化合物化学气相沉积一、MOCVD简述：MOCVD全称是Metal-Organic Chemical Vapour Deposition（金属有机化合物化学气相沉积设备），...
一文读懂ALD原子层沉积技术
概述：原子层沉积（Atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的...

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