Growth生长系统

NLD-3000原子层沉积系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有...

NLD-4000（M）原子层沉积系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉...

NLD-4000（ICPA）全自动PEALD系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在A...

NLD-4000（A）全自动原子层沉积系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原...

针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统（PA-MOCVD）,该系统具有5个鼓泡装置（各带独立的冷却槽）、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分...

ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统...

ALD原子层沉积可以满足准确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统...

针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统（PA-MOCVD）,该系统具有5个鼓泡装置（各带独立的冷却槽）、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分...