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- 品牌： 美国那诺-马斯特
- 型号：NDR-4000（A）
- 产地：美国
全自动上下载片，带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8“ ICP源。系统配套500L/S抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下，系统可以达到硅片的高深宽...
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- 品牌： 美国那诺-马斯特
- 型号：NRE-4000（ICPM）
- 产地：美国
NRE-4000（ICPM）ICP刻蚀机：是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，...
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- 品牌： 美国那诺-马斯特
- 型号：NDR-4000（M）
- 产地：美国
NDR-4000（M）DRIE深反应离子刻蚀：是带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8“ ICP源。系统配套500L/S抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的...
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- 品牌： 美国那诺-马斯特
- 型号：NRE-4000（ICPA）
- 产地：美国
自动上下载片，带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、I...
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ICP及DRIE刻蚀系统解决方案
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ICP等离子刻蚀系统应用
全自动ICP等离子刻蚀系统：自动上下载片，带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，I...
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ICP等离子刻蚀系统应用
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ICP及DRIE刻蚀系统产品文章
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一文读懂ICP刻蚀技术
ICP刻蚀技术电感耦合等离子体刻蚀（ICP，Inductively Couple Plasma）刻蚀工作原理是：用高频火花引燃时，部分Ar工作气体被电离，产生的电子和氩离子在高频电磁场中被加速，它们与...
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RIE刻蚀之NRE-4000型RIE-HCP系统
NANO-MASTER NRE-4000 型RIE-HCP系统，用于高速刻蚀硅、SiO2和Si3N4基片，通过配套HCP高密度中空阴极等离子源，系统可以支持RIE和RIE-HCP 应用，提供广泛的应用...
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一文读懂ICP刻蚀技术
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