Deposition沉积系统

NSC-3500全自动磁控溅射镀膜机概述：带有水冷或者加热(可加热到700度)功能，可达到6"旋转平台，支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟...

NSC-3500全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(可加热到700度)功能，可达到6"旋转平台，支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内...

NANO-MASTER NOC-4000光学镀膜设备提供先进的技术，在一个腔体中实现原子级清洗和光学样片抛光，然后把样片传送到第二级腔体中对同一样片进行表面涂覆，整个过程不间断真空。系统的设计也可以支...

NANO-MASTER NOC-4000光学涂覆系统提供先进的技术，在一个腔体中实现原子级清洗和光学样片抛光，然后把样片传送到第二级腔体中对同一样片进行表面涂覆，整个过程不间断真空。系统的设计也可以支...

1. 易获得期望化学计量比的多组分薄膜，即具有良好的保成分性； 2. 沉积速率高，试验周期短，衬底温度要求低，制备的薄膜均匀； 3. 工艺参数任意调节，对靶材的种类没有限制； 4. 发展潜力巨大...

1. 易获得期望化学计量比的多组分薄膜，即具有良好的保成分性； 2. 沉积速率高，试验周期短，衬底温度要求低，制备的薄膜均匀； 3. 工艺参数任意调节，对靶材的种类没有限制； 4. 发展潜力巨大...

NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，具有分形气流分布优势.样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加...

NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜z大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势...

NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l...

NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可达6" 基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/se...

NM的微波PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用25...

立式自动系统，带有水冷或者加热（Z高可加热到700度）功能，Z大到6“旋转平台，Z大可支持到4个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr...

立式自动系统，带有水冷或者加热（可加热到700度）功能，可达6“旋转平台，支持到4个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过...

带有水冷或者加热（可加热到700度）功能，可达8“旋转平台，支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基...

台式自动系统，带有水冷或者加热（可加热到700度）功能，可达6“旋转平台，支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过...

带有水冷或者加热（可加热到700度）功能，可达6“旋转平台，支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基...