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Chemcut - 湿法蚀刻设备
品牌:美国Chemcut
型号:Chemcut 2300 系列
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瑞士NanoFrazor 3D纳米结构高速直写机
品牌:瑞士Swisslitho AG
型号:NanoFrazor 3D
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Depolab 200 等离子体沉积机
品牌:德国Sentech
型号: Depolab 200
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英国Oxford 反应离子刻蚀机PlasmaPro 800 RIE
品牌:牛津仪器
型号:PlasmaPro 800 RIE
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日本JEOL 聚焦离子束加工观察系统 JIB-4000
品牌:日本电子
型号: JIB-4000
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上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 75
- 品牌:美国KRI
- 型号: KDC 75
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内. 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.
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上海伯东大口径射频离子源 RFICP 380
- 品牌:美国KRI
- 型号: RFICP 380
- 产地:美国
上海伯东美国 KRi 大口径射频离子源 RFICP 380, 3层栅极设计, 栅极口径 38cm, 提供离子动能 100-1200eV 宽束离子束, m a x离子束流 > 1000mA, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用. KRi 射频离子源 RFICP 380 特性 1. 放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长. 2kW & 1.8 MHz, 射频自动匹配 2. 离子源结构模块化设计 3. 离子光学, 自对准技术, 准直光束设计, 自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行 4. 全自动控制器 5. 离子束动能 100-1200eV 6. 栅极口径 38cm, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用
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上海伯东代理美国 KRi 考夫曼品牌离子源RF2100ICP
- 品牌:美国KRI
- 型号: 考夫曼离子源
- 产地:美国
上海伯东代理美国 KRi 考夫曼品牌离子源, 推出 RF2100ICP Plasma Source 射频等离子体源及配套控制器, RF2100 等离子体放电, RFICP 在 2MHz, 电子自动匹配, 固定匹配网络. 离子源 RF2100ICP 适用于预清洁, 氧化和氮化处理, 辅助沉积, 以及各类半导体材料, 磁性金属等的制备.
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 40
- 品牌:美国KRI
- 型号: RFICP 140
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸zui小, 低成本GX离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内
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上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 10
- 品牌:美国KRI
- 型号: KDC 10
- 产地:美国
KRI 考夫曼离子源 KDC 10 应用领域 离子清洗, 显微镜抛光 IBP 溅镀和蒸发镀膜 PC 辅助镀膜(光学镀膜) IBAD 表面改性, 激活 SM 离子溅射沉积和多层结构 IBSD 离子蚀刻 IBE
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上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 140
- 品牌:美国KRI
- 型号: RFICP 140
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中,射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1000 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出 600 mA max离子流
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上海伯东代理 KRI 霍尔离子源 eH 1000
- 品牌:美国KRI
- 型号: eH 1000
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 1000 高效气体利用, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻. 尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5” 放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体 KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性: • 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极 • 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率 • 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便; 无需水冷 • 高效的等离子转换和稳定的功率控制
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上海伯东 KRI 霍尔离子源 eH 400
- 品牌:美国KRI
- 型号: eH 400
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻. 尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3” 放电电压 / 电流: 50-300eV / 5安培 操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体 KRI 霍尔离子源 eH 400 特性: • 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极 • 宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率 • 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统 • 高效的等离子转换和稳定的功率控制
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上海伯东射频离子源 RFICP 220
- 品牌:美国KRI
- 型号: RFICP 220
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.
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上海伯东 考夫曼离子源 e-Mission Filament
- 品牌:美国KRI
- 型号: e-Mission Filament
- 产地:美国
离子源 e-Mission 上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源提供多个类型的低能量高密度的电子源, 从简单的热电子灯丝模式到中空阴极模式,典型应用在等离子和离子工艺中的阴极和阳极中和器, 通过专利技术完成电子的发射, 测量和束流控制, 广泛应用于对静电敏感和电介质材料领域.
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH200
- 品牌:美国KRI
- 型号: eh
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH200 是霍尔离子源型 eH 系列中尺寸最小, 低成本设计离子源. 霍尔离子源 eH200 适用于小型真空腔内, 例如研发分析, 薄膜沉积和离子清洗. 霍尔离子源 eH200 操作简单是理想的生产工具.
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上海伯东 KRI 霍尔离子源 eH 3000
- 品牌:美国KRI
- 型号: eH 3000
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 3000 最适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上最 高效, 提供较高离子束流的离子源. 尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6” 放电电压 / 电流: 50-300V / 20A 操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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上海伯东 KRI 霍尔离子源 eH 2000
- 品牌:美国KRI
- 型号: KRI
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻. 尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5” 放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A 操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 160
- 品牌:美国KRI
- 型号: KDC 160
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列最大,离子能量最强的栅极离子源, 适用于已知的所有离子源应用, 离子源 KDC 160 高输出设计,最大电流超过 1000 mA. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计,标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.
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上海伯东 KRI 霍尔离子源 eH 200
- 品牌:美国KRI
- 型号: KRI 霍尔离子源 eH 200
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH200 是霍尔离子源型 eH 系列中尺寸最小, 低成本设计离子源. 霍尔离子源 eH200 适用于小型真空腔内, 例如研发分析, 薄膜沉积和离子清洗. 霍尔离子源 eH200 操作简单是理想的生产工具.
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上海伯东 KRI 考夫曼离子源自动控制器 Power Supply and Control
- 品牌:美国KRI
- 型号: Power Supply and Control
- 产地:美国
KRI Ion Source 应用领域: 无栅极等离子源技术 ----End-Hall 离子/等离子源 有栅极离子源技术 ----RFICP 离子源 ----DC 离子源 电子源技术 ----灯丝 ----中空阴极 (Hollow cathode) ----等离子中和器 单机应用 ----直流电源 (DC power) ----射频电源 (RF power)
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上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 100
- 品牌:美国KRI
- 型号: KRI
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以达到 400 mA.
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上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 40
- 品牌:美国KRI
- 型号: KDC 40
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
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上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 40
- 品牌:美国KRI
- 型号: RFICP 40
- 产地:美国
KRI 射频离子源 RFICP 40 上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
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上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 100
- 品牌:美国KRI
- 型号: KDC 100
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 中型规格栅极离子源, 广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中, 考夫曼离子源 KDC 100 采用双阴极灯丝和自对准栅极, 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.
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上海伯东 KRI 线性霍尔离子源 eH Linear
- 品牌:美国KRI
- 型号: eH Linear
- 产地:美国
上海伯东代理美国原装进口 KRI 线性离子源使用 eH 400 做为模组, 能应用于宽范围的衬底, 离子源长度高达 1 米, 通过严格调整模组间的距离可以实现最佳的均匀性和离子流. 由于模组是平行放置, 大大简化了气体, 功率和电子三者的分布. KRI 线性离子源使用标准的端部霍尔模组并使设备的需求简化, 一个低成本, 高电流和低能量的离子束可以很好的使用于 web 涂层, in-line 沉积和圆柱旋转溅射系统. 霍尔离子源 eH 400 尺寸 尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3” 放电电压 / 电流: 50-300eV / 5A 操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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上海伯东 考夫曼离子源中空阴极 Hollow Cathodes
- 品牌:美国KRI
- 型号: Hollow Cathodes
- 产地:美国
上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源提供中空阴极 e-Mission Hollow Cathodes 结构紧凑, 重量轻, 可以安装在离子源或真空系统的侧面, 相对于灯丝的模式有更长的使用寿命, 这在运行忌讳突然中断的复杂工艺时, 是非常有意义的. 而且离子源中空阴极 Hollow cathode 辐射的热量更低, 可以使衬底获得更低的温度,对于对温度敏感的衬底材料而言, 使用中空阴极更有优势.
- 离子束刻蚀系统
- 仪器网导购专场为您提供离子束刻蚀系统功能原理、规格型号、性能参数、产品价格、详细产品图片以及厂商联系方式等实用信息,您可以通过设置不同查询条件,选择满足您实际需求的产品,同时导购专场还为您提供精品优选离子束刻蚀系统的相关技术资料、解决方案、招标采购等综合信息。