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深圳市蓝星宇电子科技有限公司
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SU-8 2000 永 久性环氧负性光刻胶价格：面议- 品牌：美国MicroChem
- 型号：SU-8
- 产地：美洲 美国
SU-8 2000是一种高对比度的环氧树脂基光刻胶，适用于微加工和其他微电子应用领域，需要厚、化学和热稳定的图像。SU-8 2000是SU-8的改进配方，多年来被MEMS生产厂家广泛使用。采用更快的干...
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- 品牌：美国劳瑞尔
- 型号：WS-650系列，H6系列
- 产地：美洲 美国
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瑞士Sawatec匀胶机/热版机/显影机/喷胶机价格：面议- 品牌：瑞士Sawatec
- 型号：SM-150
- 产地：欧洲 瑞士
可编程，zui多 50 个程序(各包含 24 个程序段)； 适用于重复工艺的快速启动功能； 触摸屏面板控制，方便用户程序配置工艺参数：转速、加速度、工艺时间旋转方向可选 (顺时针、逆时针)...
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- 品牌：美国Trion
- 型号：RIE/ICP
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- 品牌：牛津仪器
- 型号：PlasmaPro 100 Estrelas
- 产地：欧洲 英国
硬件设计使同一腔室中可进行Bosch™和超低温刻蚀工艺，使得纳米和微米结构刻蚀均可实现； 兼容50mm至200mm的衬底 - 确保您只需一台系统，便具备从研发器件到量产的能力； 自动匹配-拥有工艺...
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- 品牌：牛津仪器
- 型号：PlasmaPro 80 ICP
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PlasmaPro 80 ICP 英国牛津OXFORD 等离子体刻蚀机，是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统，可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺质量。直开式设计允许快...
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System 100 等离子刻蚀与沉积设备价格：面议- 品牌：牛津仪器
- 型号：System 100
- 产地：欧洲 英国
牛津OXFORD System 100 等离子刻蚀与沉积设备，具有工艺灵活性，适用于化合物半导体，光电子学，光子学，微机电系统和微流体技术。
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- 品牌：牛津仪器
- 型号：PlasmaPro 80 RIE
- 产地：欧洲 英国
PlasmaPro 80 RIE 牛津等离子体刻蚀机，是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆...
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英国Oxford 牛津等离子沉积机价格：面议- 品牌：牛津仪器
- 型号：PlasmaPro 80 ICPCVD
- 产地：欧洲 英国
PlasmaPro 80 ICPCVD 英国Oxford 牛津等离子沉积机，是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺性能。直开...
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- 品牌：牛津仪器
- 型号：Plasma Stripper
- 产地：欧洲 英国
开放式设计，可快速加载和卸载晶圆； 基片放置在石英上，以避免溅射/再沉积电极材料； 通过顶部电极上的“莲蓬头”进气口将气体注入工艺室。
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- 品牌：德国Sentech
- 型号：RIE SI591
- 产地：欧洲 德国
ENTECH RIE SI591 平板电容式反应离子刻蚀机，兼容多种氯基或氟基刻蚀工艺；小型化和高度模块化；SENTECH控制软件；Process flexibility工艺灵活性，反应离子刻蚀机 S...
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Depolab 200 等离子体沉积机价格：面议- 品牌：德国Sentech
- 型号： Depolab 200
- 产地：欧洲 德国
PECVD等离子体沉积工具Depolab 200将平行板等离子体源设计与直接负载相结合。
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- 品牌：德国Sentech
- 型号：SI 500 D
- 产地：欧洲 德国
SI 500D 代表了等离子体增强化学气相沉积介电薄膜、a-Si、SiC和其他材料的前沿。它基于PTSA等离子体源，反应气体分离气体入口，动态控温基片电极，全控真空系统，采用远程现场总线技术的先进森泰...
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- 品牌：德国Sentech
- 型号：SI 500 PPD
- 产地：欧洲 德国
SI 500 PPD是一种先进的等离子体增强化学气相沉积介质薄膜的工具，硅、碳化硅和其他材料。它是基于平面电容耦合等离子体源，真空加载锁定， 控温基片电极，可选配低频混频，全控无油真空系统采用先...
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SI 500 电感耦合等离子体ICP干法刻蚀系统价格：面议- 品牌：德国Sentech
- 型号：SI 500
- 产地：欧洲 德国
衬底温度的设置和蚀刻过程的稳定性是高质量蚀刻的要求。采用动态温度控制的ICP基片电极，结合He背面冷却和基片背面温度传感，在-150℃到+400℃的大范围温度范围内，提供了优良的工艺条件。
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- 品牌：德国Sentech
- 型号：ICP-RIE SI 500
- 产地：欧洲 德国
衬底温度的设置和蚀刻过程的稳定性是高质量蚀刻的要求。采用动态温度控制的ICP基片电极，结合He背面冷却和基片背面温度传感，在-150℃到+400℃的大范围温度范围内，提供了优良的工艺条件。
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