德国Sentech/Sentech

德国Sentech激光椭偏仪SE 400adv, 测量透明薄膜的厚度和折射率指数，具有测量速度、亚埃级别的厚度精度和折射率测定的精度。多角度测量允许使用激光椭偏仪SE 400adv表征吸收膜特征。

SpectraRay/4:光谱椭偏测量/分析软件 SENDURO®全自动光谱椭偏仪包括基于测量的仅在几秒钟内即可完成的快速数据分析。椭圆仪的设计是为了便于操作：放置样品，自动样品对准，自动测量和分析...

SENDURO 全自动光谱椭偏仪包括基于测量的仅在几秒钟内即可完成的快速数据分析。椭圆仪的设计是为了便于操作：放置样品，自动样品对准，自动测量和分析结果。在全自动模式下使用光谱椭偏仪非常适合于质量控制...

SENDIRA红外光谱椭偏仪,振动光谱的特点是傅立叶红外光谱仪FTIR。测量红外分子振动模的吸收谱带，分析长分子链的走向和薄膜的组成。红外光谱椭偏仪适用于测量导电膜的电荷载流子浓度。

德国 Sentech 低成本GX益的光谱椭偏仪SENpro,SENpro椭偏仪是椭偏仪应用的智能解决方案。它具有角度计，入射角度步进值5°。操作简单，快速测量和直观的数据分析相结合，以低成本效益高的设...

SENresearch 4.0:拥有宽光谱范围的光谱椭偏仪，在宽的光谱范围从190nm（深紫外）到3,500 nm（近红外）。每一台SENresearch 4.0都是客户特定的椭偏光谱解决方案。SEN...

ICP-RIE SI 500 德国Sentech等离子刻蚀机，低损伤刻蚀，高速刻蚀。

PECVD Depolab 200 等离子体沉积机，将平行板等离子体源设计与直接负载相结合。depolab200可以升级为更大的抽油机、低频电源和额外的燃气管道。

SENTECH SI 500 电感耦合等离子体ICP干法刻蚀系统，感应耦合等离子刻蚀机台，低损伤纳米结构刻蚀，高速率刻蚀，内置ICP等离子源，动态温控。

德国 Sentech SI 500 PPD等离子沉积机，使用方便沉淀SiO2、SiNx、SiOxNy的标准工艺，a- si在室温到350℃之间。真空loadlock SI 500 PPD的特点是真空加...

德国 Sentech SI 500 D 等离子沉积机，具有特殊的等离子体特性，如高密度、低离子能量和介质膜的低压沉积。

Etchlab200 德国Sentech 经济型反应离子刻蚀机(可升级)，EtchLab 200 允许通过载片器，实现多片工艺样品的快速装载，也可以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备...

原子层沉积（ALD）是在3D结构上逐层沉积超薄薄膜的工艺方法。薄膜厚度和特性的精确控制通过在工艺循环过程中在真空腔室分步加入前置物实现。等离子增强原子层沉积（PEALD）是用等离子化的气态原子替代水作...

SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。

ENTECH RIE SI591 平板电容式反应离子刻蚀机，兼容多种氯基或氟基刻蚀工艺；小型化和高度模块化；SENTECH控制软件；Process flexibility工艺灵活性，反应离子刻蚀机 S...

PECVD等离子体沉积工具Depolab 200将平行板等离子体源设计与直接负载相结合。