PICOSUN 高级原子沉积机 P-300B Advanced ALD
PICOSUN 原子层沉积机 P-300S Pro ALD
PICOSUN 原子沉积机 P-300F ,P-300BV
PICOSUN 生产型原子层沉积机 P-200S Pro ALD
PICOSUN P-1000 Pro ALD 生产型原子层沉积机
PICOSUN P-300B Advanced ALD 高 级原子沉积机
技术参数
。基片尺寸和类型 300mm晶圆10片/批次（标准间距）
。200mm晶圆25+2片/批次（标准间距）
工艺温度 ：50 - 500 °C
基片传送选件：
气动升降（手动加载）
半自动装载，用线性装载器实现
52片晶圆盒式全自动装载，用真空批量Load lock实现
前驱体：
液态，固态，气态，臭氧源
前驱源余量传感器，并提供清洗和装源服务
4根独立源管线，最多加载6个前驱体源
重量 ：400 + 300 kg
尺寸： (W x H x D) 149 cm x 191 cm x 111 cm
选件 ：PICOFLOW™ 扩散增强，N2发生器，尾气处理器，定制设计，与工厂软件连接服务。
验收标准 ：标准设备验收标准为 Al2O3 工艺
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IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统，适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统，适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter，灵活的基板尺寸，最大可达6英寸，基板架加热温度最高可达500℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%， 最多可配备5个6英寸磁控溅射源（可选配3或4个），支持射频、直流或脉冲直流电源，最多可支持3条气体管路，支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ，灵活的基板尺寸，最大可达6英寸， 基板架加热温度最高可达500℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%，可选配电子束或热舟蒸发源（最多3个），速率控制沉积，可沉积多层薄膜，选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter，灵活的基板尺寸，最大可达12英寸或200×200毫米， 基板架加热温度最高可达800℃，出色的薄膜均匀性，误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源（数量最多 8 个），可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积，包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求，包括OLED、OPV、OPD等。
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沪公网安备 31011502008050号